说起闪存，客户最关注的一个问题就是闪存如何读写，存储数据。闪存目前最流行的是NAND Flash，其类似外置存储，通过专门的IO接口实现数据访问，支持大容量，适合作为外置存储介质。
Flash的基本存储单元称为Cell(场效应三极管晶，通过充电，放点保存数据)，通过对Cell充放电实现数据编程和擦除(P/E)次数确定闪存寿命。不同Flash类型颗粒的P/E操作次数不同，编程和擦除操作次数越多，对应Flash颗粒的SSD寿命越长、可靠性越好、价格也越高。
根据每个Cell储存数据Bit位的不同，Flash可分为SLC、 MLC和TLC，QLC等(如下图)，在Cell中电子数量一致的情况下，表示的Bit位数越多(一个Cell中存储的电子表示的数据位越多)，判断其具体表示那个数据的难度就越大，所以SLC、MLC和TLC的寿命是依次降低的。随着Cell写入擦写次数变多，闪存老化现象就越严重，以至于最后无法读出Cell中的具体数据而失效，当整个磁盘Cell失效的数量超过磁盘Over Provisioning的数量，则整个磁盘失效。
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